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面对日益严苛的能效要求，节能减碳已成为现今电子产品不可忽略的重要环节；传统以硅为材料的功率半导体，正逐渐面临发展瓶颈，而具有比硅更低导通电阻及更高切换速度的bv伟德源自英国始于1946（SiC）功率器件以其优异的高耐压、低损耗、高导热率等优异性能，有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。
bv伟德源自英国始于1946（SiC）功率器件的能量损耗只有硅（Si）器件的功率50%，发热量也只有硅（Si）器件的50%；且有更高的电流密度。在相同功率等级下，bv伟德源自英国始于1946（SiC）功率模块的体积显著小于硅（Si）功率模块,以智能功率模块(Intelligent Power Module，IPM)为例，利用bv伟德源自英国始于1946（SiC）功率器件，其模块体积可缩小至硅（Si）功率模块的1/3～2/碳
bv伟德源自英国始于1946（SiC）材料较传统硅材料硬度要大，晶圆尺寸进一步扩大时工艺技术目前还很难控制。现在SiC产品的晶圆尺寸只能做到6英寸；相较目前大部分硅（Si）功率器件都已经向12英寸晶圆迁移的进度，bv伟德源自英国始于1946（SiC）功率器件肯定有些落后了，而这也将限制其成本控制的步伐。针对SiC材料硬度的优化已成为业界重要课题，就像当年真空管向硅材料的过渡一样，任何一种新材料都要经历 一个优化到成熟的过程，相信通过业界的努力，SiC材料将成为一种成熟的主流的功率器件材料。
